碳化硅SiC半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)
（1）比導(dǎo)通電阻是Si器件的近千分之一（在相同的電壓/電流等級(jí)），可以大大降低器件的導(dǎo)通損耗；
（2）開關(guān)頻率是硅器件的20倍，可以大大減小電路中儲(chǔ)能元件的體積，從而成倍的減小設(shè)備體積，減少貴重金屬等設(shè)備的消耗；
（3）理論上可以在600度以上的高溫環(huán)境下工作，并有抗輻射的優(yōu)勢(shì)，可以大大提高系統(tǒng)的可靠性，在能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域具有巨大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用價(jià)值。
